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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP88H6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP88H6327XTSA1价格参考。InfineonBSP88H6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4。您可以下载BSP88H6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP88H6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌)的BSP88H6327XTSA1是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件广泛应用于需要高效、低功耗开关性能的场合。其主要应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源管理电路,用于电池供电系统的负载开关或电压调节;消费类电子产品中的DC-DC转换器,实现高效的电压变换;以及小型电机驱动电路,例如在电动玩具、家用小电器中控制直流电机的启停与转速。此外,该MOSFET也适用于LED照明驱动电路,作为开关元件提供稳定电流控制。由于其采用PG-SOT223-3封装,具有良好的散热性能和较小的体积,特别适合空间受限且对热性能有要求的高密度电路设计。BSP88H6327XTSA1具备低导通电阻(RDS(on))、快速开关响应和高可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,因此也常见于工业控制模块和汽车电子辅助系统中,如车用传感器电源管理或车载信息娱乐系统的电源开关。总体而言,该型号适用于中低功率、注重效率与紧凑设计的开关电源和功率控制应用。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 350 mA |
| Id-连续漏极电流 | 350 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 240V 600mOhm 350mA |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 产品型号 | BSP88H6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 4.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 240 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 240 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.4 V |
| 上升时间 | 3.5 ns |
| 下降时间 | 18.9 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 17.9 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.19 S |
| 系列 | BSP88 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 零件号别名 | SP001058790 |