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FQP19N20产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP19N20由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP19N20价格参考。Fairchild SemiconductorFQP19N20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 19.4A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP19N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP19N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP19N20 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该型号属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源转换与管理 - 开关电源 (SMPS):FQP19N20 的高耐压(200V)和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 电压调节模块:在需要稳定输出电压的场合,如线性稳压器或降压/升压转换器中,该器件可以作为主开关元件。 2. 电机驱动与控制 - 直流电机驱动:FQP19N20 可用于驱动小型直流电机,提供高效的开关控制和电流承载能力。 - H 桥电路:在 H 桥电路中,多个 FQP19N20 可以组合使用,实现电机的正转、反转及制动功能。 3. 负载开关与保护 - 负载开关:在需要动态控制负载通断的应用中,FQP19N20 可作为高效的电子开关,减少功耗并提高系统效率。 - 过流保护:通过监测 MOSFET 的导通电阻上的电压降,可以实现过流保护功能。 4. 逆变器与变频器 - 太阳能逆变器:在小型太阳能发电系统中,FQP19N20 可用于将直流电转换为交流电。 - 变频器应用:在需要调整电机速度或负载功率的场合,该器件可作为核心开关元件。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等,FQP19N20 可作为驱动元件。 - LED 照明控制:在汽车 LED 灯光系统中,该器件可用于调光和开关控制。 6. 工业自动化 - 继电器替代:由于其快速开关特性和可靠性,FQP19N20 可以替代传统机械继电器,用于工业设备中的信号切换。 - 传感器接口:在工业传感器中,该器件可以用作信号放大或驱动元件。 总结 FQP19N20 凭借其 200V 的耐压能力、低导通电阻以及出色的开关性能,适用于多种电力电子领域。无论是消费类电子产品、工业设备还是汽车电子,它都能提供可靠的功率控制和高效的能量转换解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220MOSFET 200V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 19.4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP19N20QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP19N20 |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 190 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 9.7A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | FQP19N20-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 14.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19.4A (Tc) |
| 系列 | FQP19N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP19N20_NL |