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  • 型号: FQP19N20
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP19N20产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP19N20由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP19N20价格参考。Fairchild SemiconductorFQP19N20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 19.4A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP19N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP19N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP19N20 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该型号属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别,广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源转换与管理
   - 开关电源 (SMPS):FQP19N20 的高耐压(200V)和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。
   - 电压调节模块:在需要稳定输出电压的场合,如线性稳压器或降压/升压转换器中,该器件可以作为主开关元件。

 2. 电机驱动与控制
   - 直流电机驱动:FQP19N20 可用于驱动小型直流电机,提供高效的开关控制和电流承载能力。
   - H 桥电路:在 H 桥电路中,多个 FQP19N20 可以组合使用,实现电机的正转、反转及制动功能。

 3. 负载开关与保护
   - 负载开关:在需要动态控制负载通断的应用中,FQP19N20 可作为高效的电子开关,减少功耗并提高系统效率。
   - 过流保护:通过监测 MOSFET 的导通电阻上的电压降,可以实现过流保护功能。

 4. 逆变器与变频器
   - 太阳能逆变器:在小型太阳能发电系统中,FQP19N20 可用于将直流电转换为交流电。
   - 变频器应用:在需要调整电机速度或负载功率的场合,该器件可作为核心开关元件。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等,FQP19N20 可作为驱动元件。
   - LED 照明控制:在汽车 LED 灯光系统中,该器件可用于调光和开关控制。

 6. 工业自动化
   - 继电器替代:由于其快速开关特性和可靠性,FQP19N20 可以替代传统机械继电器,用于工业设备中的信号切换。
   - 传感器接口:在工业传感器中,该器件可以用作信号放大或驱动元件。

 总结
FQP19N20 凭借其 200V 的耐压能力、低导通电阻以及出色的开关性能,适用于多种电力电子领域。无论是消费类电子产品、工业设备还是汽车电子,它都能提供可靠的功率控制和高效的能量转换解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220MOSFET 200V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

19.4 A

Id-连续漏极电流

19.4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP19N20QFET®

数据手册

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产品型号

FQP19N20

Pd-PowerDissipation

140 W

Pd-功率耗散

140 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

150 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

150 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

190 ns

下降时间

80 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

150 毫欧 @ 9.7A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

FQP19N20-ND
FQP19N20FS

典型关闭延迟时间

55 ns

功率-最大值

140W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

14.5 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19.4A (Tc)

系列

FQP19N20

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP19N20_NL

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