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型号： FDMA8051L
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDMA8051L产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA8051L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA8051L价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA8051L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 40V 10A（Tc） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）。您可以下载FDMA8051L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMA8051L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 40V 6-MLPMOSFET 40V Single N-Channel PowerTrenchMOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	10 A
Id-连续漏极电流	10 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA8051LPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDMA8051L
Pd-PowerDissipation	2.4 W
Pd-功率耗散	2.4 W
Qg-GateCharge	14 nC
Qg-栅极电荷	14 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	18 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	18 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.6 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.6 V
上升时间	1.8 ns
下降时间	1.8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1260pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	20nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	14 毫欧 @ 10A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	MicroFET 2x2
其它名称	FDMA8051LCT
典型关闭延迟时间	17 ns
功率-最大值	2.4W
包装	剪切带（CT）
单位重量	30 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-WFDFN 裸露焊盘
封装/箱体	MicroFET-6 2x2
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10A （Tc）
系列	FDMA8051
配置	Single