ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STB9NK60ZDT4
Datasheet下载- 型号： STB9NK60ZDT4
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STB9NK60ZDT4产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB9NK60ZDT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB9NK60ZDT4价格参考。STMicroelectronicsSTB9NK60ZDT4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 600V 7A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载STB9NK60ZDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB9NK60ZDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STB9NK60ZDT4 是一款高压、高速功率 MOSFET，属于 N 沟道增强型晶体管。该器件采用 TO-252（D²PAK）贴片封装，具备优良的散热性能和可靠性，适用于中高功率开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，如适配器、充电器、PC 电源等，因其具备 600V 高耐压和低导通电阻（典型值约 1.2Ω），可提高能效并减少发热。 2. 照明驱动电路：常用于电子镇流器、LED 驱动电源和节能灯控制模块，支持高频开关操作，有助于实现小型化和高效照明系统。 3. 电机控制与驱动：在小功率家用电器（如风扇、洗衣机、吸尘器）的电机驱动电路中作为开关元件，提供快速响应和稳定性能。 4. 工业电源与控制系统：适用于工业自动化设备中的电源模块和功率控制单元，满足严苛环境下的长期稳定运行需求。 5. 待机电源与辅助电源：在电视、显示器等消费电子产品中用于待机电源设计，具备低静态功耗和高可靠性。 STB9NK60ZDT4 具有优化的栅极电荷和开关特性，适合高频工作环境，同时内置快速恢复体二极管，增强了在感性负载下的抗冲击能力。其环保设计符合 RoHS 标准，适用于现代绿色电子产品开发。总体而言，该 MOSFET 在追求高效率、高可靠性和紧凑设计的中低压功率转换领域具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7A D2PAKMOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB9NK60ZDT4SuperFREDmesh™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB9NK60ZDT4 |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 41 nC |
| Qg-栅极电荷 | 41 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 950 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1110pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 950 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-4325-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF78062?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 950 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 5.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
| 系列 | STB9NK60ZD |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
