Datasheet下载- 型号： STP35N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP35N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP35N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTP35N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP35N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP35N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP35N65M5是一款高压超级结MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有650V的高击穿电压和低导通电阻（RDS(on)），具备优异的开关性能和效率，适用于高电压、中等电流的电源转换应用。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和电信电源中，作为主开关器件，实现高效能AC-DC或DC-DC转换。 2. LED照明驱动电源：适用于大功率LED路灯、商业照明等恒流驱动电源，支持高效率和高功率因数设计。 3. PFC（功率因数校正）电路：常用于连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）PFC升压拓扑，提升系统能效并满足能源标准。 4. 太阳能逆变器：在光伏微逆变器或小型逆变器中用于直流到交流的转换环节，提高能量转换效率。 5. 电机驱动与工业控制：可用于中小功率电机驱动系统中的功率开关，适用于家电、电动工具及工业自动化设备。 STP35N65M5凭借其高耐压、低损耗和高可靠性，特别适合追求高效率和紧凑设计的现代电力电子系统。同时，其优化的栅极电荷和抗雪崩能力增强了系统稳定性，是绿色能源和节能应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 27A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP35N65M5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3750pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 83nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 98 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-10080-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF221235?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/497-8012-KIT/497-8012-KIT-ND/2340669 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Tc） |
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