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  • 型号: STH260N6F6-2
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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STH260N6F6-2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STH260N6F6-2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH260N6F6-2价格参考。STMicroelectronicsSTH260N6F6-2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 300W(Tc) H2Pak-2。您可以下载STH260N6F6-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STH260N6F6-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAKMOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STH260N6F6-2DeepGATE™, STripFET™ VI

数据手册

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产品型号

STH260N6F6-2

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

Qg-GateCharge

183 nC

Qg-栅极电荷

183 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

165 ns

下降时间

62.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

183nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 毫欧 @ 60A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

H²PAK

其它名称

497-11217-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF250685?referrer=70071840

功率-最大值

300W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.4 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

H2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

75 V

漏极连续电流

120 A

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/stmicroelectronics-stripfet-vi-deepgate-mosfets/3393

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

180A (Tc)

系列

STH260N6F6-2

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