Datasheet下载- 型号： IPD65R950CFDBTMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD65R950CFDBTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD65R950CFDBTMA1价格参考。InfineonIPD65R950CFDBTMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD65R950CFDBTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD65R950CFDBTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPD65R950CFDBTMA1是一款650V、超结（Super Junction）MOSFET，属于高性能功率晶体管，广泛应用于需要高效能与高可靠性的电源系统中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高频开关能力和优异的热性能，适用于多种电力电子变换器设计。 主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、智能手机等消费类电子产品的高效率AC-DC电源适配器中，提升能效并减小体积。 2. 服务器与通信电源：在数据中心服务器电源、基站电源模块中，作为关键开关元件以实现高效率和高功率密度。 3. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中，用于DC-AC逆变电路，提高能量转换效率。 4. 工业电源与电机驱动：如UPS不间断电源、变频器、伺服驱动器等工业设备中，提供稳定可靠的功率控制。 5. 电动汽车相关应用：可用于车载充电机（OBC）或充电桩电源模块，支持高效率电能转换。 该MOSFET采用TO-252封装，便于散热和安装，适合中高功率密度的设计需求，是实现绿色能源与节能系统的重要组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPD65R950CFD_2_0.pdf?folderId=db3a30432313ff5e0123a8557b1c5ba2&fileId=db3a3043397b22f00139902e85ae4bd3 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD65R950CFDBTMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 950 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252 |
| 其它名称 | IPD65R950CFDBTMA1DKR |
| 功率-最大值 | 36.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.9A （Tc） |
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