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RSQ035P03TR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RSQ035P03TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSQ035P03TR价格参考。ROHM SemiconductorRSQ035P03TR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)。您可以下载RSQ035P03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSQ035P03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSQ035P03TR 是由 Rohm Semiconductor 生产的单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体来说是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几种: 1. 电源管理:RSQ035P03TR 常用于开关电源、DC-DC 转换器等电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds)特性使其能够高效地进行电流切换,减少能量损耗,提高系统效率。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中,该 MOSFET 可以作为开关元件来控制电机的启动、停止及速度调节。由于其快速响应时间和低功耗特点,非常适合应用于各类家用电器、电动工具等领域。 3. 负载开关:用作负载开关时,RSQ035P03TR 可以实现对不同负载(如 LED 灯、传感器等)的通断控制。它具有较小的封装尺寸,便于集成到紧凑型设计中。 4. 电池保护:在便携式电子设备(如手机、平板电脑等)中,此款 MOSFET 还可用于电池保护电路,防止过充、过放以及短路等情况发生,确保电池安全使用。 5. 信号放大与缓冲:尽管主要用途是作为开关器件,但在某些情况下也可以将 RSQ035P03TR 用作信号放大或缓冲器,尤其是在需要处理较大电流的应用场景下。 总之,RSQ035P03TR 凭借其优异的电气性能,在众多电力电子应用领域展现出广泛适用性,并且凭借 Rohm 半导体的技术优势,为用户提供可靠稳定的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | +/- 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSQ035P03TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSQ035P03TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 700 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 700 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 3.5A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RSQ035P03CT |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |