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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SIS439DNT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS439DNT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS439DNT-T1-GE3价格参考。VishaySIS439DNT-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIS439DNT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS439DNT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIS439DNT-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于中小功率电源管理与开关控制场景。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热稳定性，适合在紧凑空间内实现高效能转换。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电系统中的充放电控制与保护电路；DC-DC转换器（如降压、升压及同步整流拓扑）中作为开关元件，提升转换效率；LED驱动电路中用于恒流调节与开关控制；以及各类消费类电子产品中的电机驱动、热插拔电路和电源多路复用。 SIS439DNT-T1-GE3 采用小型化表面贴装封装（如PowerPAK SO-8），节省PCB空间，适用于高密度组装的现代电子设备。其优异的开关性能和可靠性也使其适用于工业控制、通信模块和电源适配器等中低功率应用领域。总体而言，该MOSFET凭借其高性能与小尺寸，在追求高能效与小型化的电子系统中具有广泛应用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIS439DNT-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2135pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS439DNT-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 52.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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