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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATP104-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATP104-TL-H价格参考。ON SemiconductorATP104-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ATP104-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATP104-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的ATP104-TL-H是一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该产品广泛应用于需要高效、低功耗开关控制的电子系统中。 其主要应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备),用于电源管理及电池供电系统的开关控制;电源转换模块,如DC-DC转换器、同步整流电路,发挥其低导通电阻和快速开关特性以提升能效;负载开关和电源开关电路,实现对不同功能模块的上电/断电控制,降低待机功耗;此外,也适用于电机驱动、LED驱动以及各类小型家电和工业控制电路。 ATP104-TL-H采用SOT-23小尺寸封装,适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和可靠性,工作温度范围宽,适用于消费类电子、工业级应用及部分汽车电子中的非核心系统。其低栅极电荷和优异的开关性能有助于减少能量损耗,提高系统整体效率。总体而言,该MOSFET在要求小型化、高效率和低成本的低压开关应用中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 75A ATPAKMOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 75 A |
| Id-连续漏极电流 | - 75 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor ATP104-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ATP104-TL-H |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 76 nC |
| Qg-栅极电荷 | 76 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 520 ns |
| 下降时间 | 260 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3950pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 76nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.4 毫欧 @ 38A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ATPAK |
| 其它名称 | 869-1074-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 290 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | ATPAK(2 引线 + 接片) |
| 封装/箱体 | ATPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 70 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Ta) |
| 系列 | ATP104 |
| 配置 | Single |