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SI4166DY-T1-GE3产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI4166DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括以下方面: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、降压或升压电路中作为开关元件,提供高效的能量转换。 - 负载开关:在需要动态控制电流的场景中,如便携式设备的电池管理,SI4166DY-T1-GE3 可用作负载开关以实现快速开启和关闭。 - 线性稳压器:可以用作低压差线性稳压器(LDO)中的旁路开关。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于低功率电机驱动应用,例如玩具、风扇或其他小型机电设备。 - H 桥电路:在 H 桥配置中,该 MOSFET 可用于正向和反向驱动电机。 3. 电池保护 - 电池管理系统(BMS):在锂电池或可充电电池组中,可用于过流保护、短路保护以及防止过度放电。 - 充放电控制:通过精确控制导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电压,确保电池充放电过程安全可靠。 4. 信号切换 - 高速信号切换:由于其低导通电阻(典型值为 18 mΩ @ Vgs=4.5V)和快速开关速度,适合用于高频信号切换场合。 - 多路复用器/解复用器:可以实现不同信号路径之间的切换。 5. 消费电子与物联网设备 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、蓝牙音箱等,可用作电源开关或保护电路的一部分。 - 智能家居产品:如智能灯泡、传感器节点等,利用其小尺寸封装(TSSOP)节省空间并降低功耗。 6. 汽车电子 - 车身控制模块:用于车窗升降器、座椅调节器等低功率负载的控制。 - LED 照明驱动:为车内 LED 灯条或其他照明系统提供高效驱动。 特点总结 - 低导通电阻:减少功率损耗,提高效率。 - 高电流能力:支持高达 10 A 的连续漏极电流。 - 小型化设计:采用 TSSOP 封装,适合紧凑型设计。 - 宽工作温度范围:能够在 -55°C 至 +150°C 的环境下稳定运行。 综上所述,SI4166DY-T1-GE3 广泛应用于各种需要高效、低功耗和小型化解决方案的领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOICMOSFET 30V 30.5A 6.5W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20.5 A |
Id-连续漏极电流 | 20.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4166DY-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4166DY-T1-GE3SI4166DY-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 3 W |
Pd-功率耗散 | 3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 19 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2730pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.9 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4166DY-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 6.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 65 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30.5A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
零件号别名 | SI4166DY-GE3 |