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  • 型号: SI4166DY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI4166DY-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4166DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4166DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4166DY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 30.5A(Tc) 3W(Ta),6.5W(Tc) 8-SO。您可以下载SI4166DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4166DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4166DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括以下方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、降压或升压电路中作为开关元件,提供高效的能量转换。
   - 负载开关:在需要动态控制电流的场景中,如便携式设备的电池管理,SI4166DY-T1-GE3 可用作负载开关以实现快速开启和关闭。
   - 线性稳压器:可以用作低压差线性稳压器(LDO)中的旁路开关。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于低功率电机驱动应用,例如玩具、风扇或其他小型机电设备。
   - H 桥电路:在 H 桥配置中,该 MOSFET 可用于正向和反向驱动电机。

 3. 电池保护
   - 电池管理系统(BMS):在锂电池或可充电电池组中,可用于过流保护、短路保护以及防止过度放电。
   - 充放电控制:通过精确控制导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电压,确保电池充放电过程安全可靠。

 4. 信号切换
   - 高速信号切换:由于其低导通电阻(典型值为 18 mΩ @ Vgs=4.5V)和快速开关速度,适合用于高频信号切换场合。
   - 多路复用器/解复用器:可以实现不同信号路径之间的切换。

 5. 消费电子与物联网设备
   - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、蓝牙音箱等,可用作电源开关或保护电路的一部分。
   - 智能家居产品:如智能灯泡、传感器节点等,利用其小尺寸封装(TSSOP)节省空间并降低功耗。

 6. 汽车电子
   - 车身控制模块:用于车窗升降器、座椅调节器等低功率负载的控制。
   - LED 照明驱动:为车内 LED 灯条或其他照明系统提供高效驱动。

 特点总结
- 低导通电阻:减少功率损耗,提高效率。
- 高电流能力:支持高达 10 A 的连续漏极电流。
- 小型化设计:采用 TSSOP 封装,适合紧凑型设计。
- 宽工作温度范围:能够在 -55°C 至 +150°C 的环境下稳定运行。

综上所述,SI4166DY-T1-GE3 广泛应用于各种需要高效、低功耗和小型化解决方案的领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOICMOSFET 30V 30.5A 6.5W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20.5 A

Id-连续漏极电流

20.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4166DY-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI4166DY-T1-GE3SI4166DY-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

19 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2730pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

65nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.9 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4166DY-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

6.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

65 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30.5A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

SI4166DY-GE3

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