Datasheet下载- 型号： PMFPB8032XP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMFPB8032XP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMFPB8032XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMFPB8032XP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMFPB8032XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMFPB8032XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的PMFPB8032XP,115是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个FET器件，常用于高效率、高频率的电源管理和功率转换应用。该器件采用Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和良好的热性能，适用于对空间和能效有较高要求的设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等电子产品中的电源模块。 2. 电池供电设备：在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中，用于提升电池使用效率和延长续航时间。 3. 电机控制：用于小型电机或步进电机的驱动控制，如无人机、机器人、电动工具等。 4. 负载开关与电源分配：作为高效开关元件，用于多路电源管理或外设供电控制。 5. 汽车电子：在车载电源系统、LED照明、传感器控制等场景中，满足车规级可靠性要求。 该MOSFET采用小型封装，适合高密度PCB布局，适用于自动化装配流程，广泛应用于工业控制、消费电子及汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6MOSFET Broad small-signal MOSFET Portfolio |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道、 肖特基，金属氧化物! |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.7 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMFPB8032XP,115- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMFPB8032XP,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 6250 mW |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| Qg-GateCharge | 5.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.6 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 102 毫欧 @ 2.7A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10788-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 485mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 80 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 3.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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