Datasheet下载- 型号： STW30NM50N
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW30NM50N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW30NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTW30NM50N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW30NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW30NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STW30NM50N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能功率管理的电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电源适配器，因其高耐压（500V）和低导通电阻特性，有助于提升电源转换效率并减少发热。 2. 电机驱动：可用于工业自动化设备中的电机控制电路，如变频器或伺服驱动器，提供稳定可靠的功率输出。 3. 照明系统：在LED照明或高强度气体放电灯（HID）镇流器中作为开关元件，实现高效能和长寿命的照明解决方案。 4. 消费电子产品：应用于家电（如洗衣机、空调）中的电机控制或电源模块，提升设备能效和可靠性。 5. 新能源领域：用于太阳能逆变器或电动车充电系统中的功率转换模块，支持高电压工作环境，提高系统整体效率。 该器件采用TO-247封装，便于散热，适合高功率应用场景。其快速开关特性也有助于减小外围电路体积，提高系统集成度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 27A TO-247MOSFET N-Ch 500 Volt 27 Amp Power MDmesh |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW30NM50NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW30NM50N |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2740pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 94nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 115 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-8795-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 90 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 600 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 23 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 27 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Tc） |
| 系列 | STW30NM50N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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