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产品简介:
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APT60M60JFLL是Microsemi Corporation推出的一款N沟道MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有600V的高耐压和60A的大电流承载能力,适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。 其主要应用场景包括工业电机驱动、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。由于具备低导通电阻(RDS(on))和优良的热稳定性,APT60M60JFLL在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,有助于提升系统整体能效。 此外,该MOSFET采用先进的封装技术,具备良好的散热性能和可靠性,适合在高温、高负载环境下稳定运行。因此,在需要高耐压、大电流和高可靠性的工业级和能源类应用中表现优异。 综上所述,APT60M60JFLL广泛应用于对功率控制和能效要求较高的领域,尤其适用于工业电源、可再生能源转换系统及高端电力控制设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6440-apt60m60jfll-a-pdf |
产品图片 | |
产品型号 | APT60M60JFLL |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | POWER MOS 7® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12630pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 289nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 35A,10V |
供应商器件封装 | ISOTOP® |
功率-最大值 | 694W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
标准包装 | 10 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A |