Datasheet下载- 型号： NTTFS4930NTAG
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTTFS4930NTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTFS4930NTAG价格参考。ON SemiconductorNTTFS4930NTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTTFS4930NTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTTFS4930NTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTTFS4930NTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：用于降压或升压电路中，作为开关元件控制电流的流动，实现高效的电压转换。 - 开关电源（SMPS）：在开关模式电源中充当高频开关，提供稳定的输出电压。 - 负载开关：用于动态控制电路中的电流流向，保护下游电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）控制：在电机驱动器中用作功率级开关，支持高效、精确的电机控制。 - 步进电机驱动：用于多相电机驱动电路，提供足够的电流和电压以驱动电机。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池保护电路：通过快速切换防止过充、过放或短路等异常情况。 - 电量平衡电路：用于多节电池组中，平衡各电池单元的电压。 4. 汽车电子 - 车载充电器：用于电动汽车或混合动力汽车的充电系统中，提高效率并减少热量损失。 - LED 驱动器：为汽车照明系统（如大灯、尾灯）提供稳定电流。 - 电动助力转向（EPS）：在汽车辅助驾驶系统中用作功率开关。 5. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器：用于高效电源转换，降低能耗。 - 智能手机快充模块：支持快速充电功能，优化充电效率。 - 音频放大器：在 D 类放大器中用作开关元件，提供高保真音质。 6. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器（PLC）：用于工业控制系统的功率输出部分。 - 传感器接口：驱动高功率负载，如继电器或电磁阀。 7. 通信设备 - 基站电源：在通信基础设施中提供高效电源转换。 - 信号调理电路：用于高频信号的开关和调节。 总结 NTTFS4930NTAG 的低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和快速开关特性使其非常适合需要高效功率转换和低损耗的应用场景。它广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域，能够满足现代电子系统对高性能和节能的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFNMOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS4930NTAG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTTFS4930NTAG |
| Pd-PowerDissipation | 2.06 W |
| Pd-功率耗散 | 2.06 W |
| Qg-GateCharge | 5.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 上升时间 | 26.6 ns |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 476pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 功率-最大值 | 790mW |
| 功率耗散 | 2.06 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 30 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WDFN-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 5.5 nC |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 7.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta）， 23A （Tc） |
| 系列 | NTTFS4930N |
| 配置 | Single |
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