P6SMB18AT3G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB18AT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB18AT3G价格参考￥0.92-￥1.23。ON SemiconductorP6SMB18AT3G封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载P6SMB18AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有P6SMB18AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

P6SMB18AT3G是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于SMB（DO-214AA）封装的单向TVS器件，击穿电压典型值为18V（VRWM=15.3V，VBR=17.1–18.9V），峰值脉冲功率达600W（10/1000μs波形）。

其主要应用场景包括：  
- 电源输入端口保护：用于适配器、工业电源、通信设备等的DC输入端，抑制雷击感应浪涌、开关噪声及EFT（电快速瞬变）干扰；  
- 信号线与接口防护：适用于RS-232/485、CAN总线、USB电源线等低压直流信号路径，防止过压损坏后级MCU或接口芯片；  
- 消费电子与汽车电子：在机顶盒、电视主板、车载信息娱乐系统（IVI）中，为12V或24V供电轨提供IEC 61000-4-2（±30kV接触放电）和IEC 61000-4-5（浪涌）等级的基础防护；  
- 电机驱动与继电器控制电路：吸收感性负载关断时产生的反向电动势（如继电器线圈、小型直流电机），避免钳位电压超限损坏驱动IC。

该器件具备低钳位电压（IPP=33.2A时VC≤29.2V）、响应速度快（<1ps）、高可靠性及AEC-Q200认证（适用于汽车级应用），适合空间受限且需稳健ESD/浪涌防护的中低功率电子系统。

P6SMB18AT3G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB18AT3G由AMI/ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB18AT3G价格参考￥0.92-￥1.23。AMI/ON SemiconductorP6SMB18AT3G封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载P6SMB18AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有P6SMB18AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

P6SMB18AT3G是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于SMB（DO-214AA）封装的单向TVS器件，击穿电压典型值为18V（VRWM=15.3V，VBR=17.1–18.9V），峰值脉冲功率达600W（10/1000μs波形）。

其主要应用场景包括：  
- 电源输入端口保护：用于适配器、工业电源、通信设备等的DC输入端，抑制雷击感应浪涌、开关噪声及EFT（电快速瞬变）干扰；  
- 信号线与接口防护：适用于RS-232/485、CAN总线、USB电源线等低压直流信号路径，防止过压损坏后级MCU或接口芯片；  
- 消费电子与汽车电子：在机顶盒、电视主板、车载信息娱乐系统（IVI）中，为12V或24V供电轨提供IEC 61000-4-2（±30kV接触放电）和IEC 61000-4-5（浪涌）等级的基础防护；  
- 电机驱动与继电器控制电路：吸收感性负载关断时产生的反向电动势（如继电器线圈、小型直流电机），避免钳位电压超限损坏驱动IC。

该器件具备低钳位电压（IPP=33.2A时VC≤29.2V）、响应速度快（<1ps）、高可靠性及AEC-Q200认证（适用于汽车级应用），适合空间受限且需稳健ESD/浪涌防护的中低功率电子系统。