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  • 型号: 1SMB8.0AT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1SMB8.0AT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1SMB8.0AT3G价格参考。ON Semiconductor1SMB8.0AT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1SMB8.0AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1SMB8.0AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Littelfuse Inc. 的型号 1SMB8.0AT3G 是一款 TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于 SMB 封装系列。该器件的主要应用场景是为电子电路提供过电压保护,防止因雷击、静电放电(ESD)、电感负载开关或其他瞬态事件引起的电压浪涌对设备造成损害。

以下是其主要应用场景及特点:

 1. 通信设备
   - 用于保护通信接口(如 RS-232、RS-485、USB 等)免受瞬态电压的影响。
   - 在无线模块、调制解调器和路由器中,可防止信号线上的浪涌干扰。

 2. 消费类电子产品
   - 应用于电视、音响系统、家用电器等的电源输入端或信号接口。
   - 提供 ESD 和电压浪涌保护,确保设备在复杂电磁环境下的稳定性。

 3. 汽车电子
   - 保护车载电子设备(如娱乐系统、导航系统、传感器等)免受点火系统或电池切换时产生的电压浪涌影响。
   - 符合汽车级要求,适应宽温度范围和高可靠性需求。

 4. 工业控制
   - 用于工业自动化设备中的传感器、继电器和通信接口保护。
   - 抑制电机启动或停止时产生的感应电压,避免损坏敏感元件。

 5. 电源和配电系统
   - 在 AC/DC 转换器、开关电源(SMPS)中,用于输入滤波和过压保护。
   - 防止电网波动或雷击引发的高压冲击。

 特性概述:
- 反向关断电压(VRWM):8V,适用于低电压电路。
- 峰值脉冲电流(IPP):29.1A,能够承受较大的瞬态电流。
- 箝位电压(VC):13.7V,有效限制电压浪涌幅度,保护后端电路。
- 响应时间快(典型值 <1ps),能够迅速抑制瞬态电压。
- 小尺寸封装(SMB),适合空间受限的设计。

总之,1SMB8.0AT3G 是一种高性价比的 TVS 二极管,广泛应用于各种需要过压保护的场景,尤其适合低电压、高灵敏度的电路设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护半导体

描述

TVS DIODE 8VWM 13.6VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8V 600W Unidirectional

产品分类

TVS - 二极管分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor 1SMB8.0AT3G-

数据手册

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产品型号

1SMB8.0AT3G

PCN组件/产地

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不同频率时的电容

1780pF @ 1MHz

产品种类

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器

供应商器件封装

SMB

击穿电压

8.89 V

功率-峰值脉冲

600W

包装

带卷 (TR)

单向通道

1

双向通道

-

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

DO-214AA,SMB

封装/箱体

DO-214AA

尺寸

3.95 mm W x 4.6 mm L x 2.45 mm H

峰值浪涌电流

44.1 A

峰值脉冲功率耗散

600 W

工作温度

-65°C ~ 150°C

工作电压

8 V

工厂包装数量

2500

应用

通用

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

极性

Unidirectional

标准包装

2,500

电压-击穿(最小值)

8.89V

电压-反向关态(典型值)

8V

电压-箝位(最大值)@Ipp

13.6V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

-

电源线路保护

端接类型

SMD/SMT

类型

齐纳

系列

1SMB5.0AT3G

钳位电压

13.6 V

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