Datasheet下载- 型号： 1N6111US
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6111US由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6111US价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N6111US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N6111US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N6111US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的1N6111US是一款TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路中保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、雷击、电感负载切换等引起的瞬态电压冲击。 该器件采用单向TVS结构，具有较快的响应时间和较高的浪涌吸收能力。其主要参数包括工作电压、钳位电压和最大脉冲峰值电流等，适用于多种低压电路保护场景。 应用场景包括： 1. 通信设备保护：用于以太网接口、RS-485/RS-232串行通信线路中，防止因雷击或静电导致的损坏。 2. 工业控制系统：在PLC、变频器和传感器等工业自动化设备中，对控制信号线进行瞬态电压抑制。 3. 消费电子产品：如打印机、扫描仪等设备的数据线和电源输入端口保护。 4. 汽车电子系统：用于车载网络（CAN、LIN）和辅助电子模块的电源及信号线路保护。 5. 电源管理电路：用于直流电源输入端，防止外部瞬态电压对后级稳压IC造成损害。 总之，1N6111US广泛应用于需要中低功率瞬态电压保护的各种电子系统中，确保设备稳定运行和延长使用寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12.2VWM SQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N6111US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 14.44V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12.2V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 23.42V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 21.28A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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