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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRFH5250DTR2PBF 是一款功率MOSFET器件,属于N沟道增强型场效应晶体管,广泛用于高效能电源管理系统。其主要应用场景包括: 1. DC-DC转换器:适用于服务器、通信设备和工业电源中的升压(Boost)或降压(Buck)电路,提供高效能和低导通损耗。 2. 同步整流器:在开关电源(SMPS)中替代传统二极管,提升转换效率,降低发热。 3. 负载开关与电源管理:用于电池管理系统、电动工具及便携式设备中,实现对负载的快速控制与保护。 4. 电机驱动与功率控制:应用于电动车辆、工业自动化设备中的电机控制模块,具备高开关速度与耐压能力。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或光伏逆变器中,作为功率开关元件,实现电能形式的高效转换。 该器件具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压(250V)与大电流承载能力,适合高频开关应用,有助于减小系统体积并提升整体能效。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFH5250DTR2PBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6115pF @ 13V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 83nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.4 毫欧 @ 50A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | PQFN(5x6)单芯片焊盘 |
其它名称 | IRFH5250DTR2PBFDKR |
功率-最大值 | 3.6W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VQFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Ta), 100A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5250dpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5250dpbf.spi |