Datasheet下载- 型号： NVMFS4C05NT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFS4C05NT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFS4C05NT3G价格参考。ON SemiconductorNVMFS4C05NT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFS4C05NT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFS4C05NT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVMFS4C05NT3G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和高可靠性的电源管理场景。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电系统中的电源控制模块；各类DC-DC转换器，如降压（Buck）、升压（Boost）及升降压变换器，用于提升能效；电机驱动电路中作为开关元件，适用于小型直流电机或步进电机控制；此外，在热插拔电源管理、LED驱动电路以及电源分配系统中也发挥重要作用。 该MOSFET具备低栅极电荷（Qg）和低导通电阻（RDS(on)），有助于降低开关损耗和传导损耗，提高系统整体效率。同时，采用T3G封装（类似SO-8），体积小，适合高密度PCB布局，满足消费类电子和工业应用对小型化和高性能的需求。 由于其符合RoHS标准并具有环保特性，NVMFS4C05NT3G也适用于注重绿色节能的现代电子产品设计。总之，这款器件适用于多种中低功率开关电源和功率控制场合，尤其在追求高效率和紧凑设计的应用中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMFS4C05NT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1972pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.61W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24.7A （Ta）， 116A （Tc） |
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