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BUK7Y4R8-60EX产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7Y4R8-60EX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7Y4R8-60EX价格参考。NXP SemiconductorsBUK7Y4R8-60EX封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载BUK7Y4R8-60EX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7Y4R8-60EX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK7Y4R8-60EX 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 FET 类别。它广泛应用于各种电子设备和系统中,特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的电路设计中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理: - 开关电源 (SMPS):BUK7Y4R8-60EX 适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等开关电源应用。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。 - 电池管理系统 (BMS):用于锂电池保护电路中,作为充放电控制开关,确保电池的安全和稳定运行。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机 (BLDC) 和 步进电机:在电机驱动电路中,MOSFET 用作功率级开关,控制电机的转速和方向。该器件的快速开关特性和低导通电阻使其成为电机驱动的理想选择。 3. 消费电子产品: - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和外围接口的开关控制,如 USB 端口的电流限制和保护。 - 笔记本电脑和台式机:在电源供应模块和主板上,用于电压调节和负载切换。 4. 工业自动化: - 可编程逻辑控制器 (PLC) 和 工业传感器:MOSFET 用于信号隔离和大电流驱动,确保系统的稳定性和安全性。 - 伺服驱动器:用于精确控制电动机的速度和位置,提供高效能和响应速度。 5. 汽车电子: - 车身控制系统:如车窗升降器、座椅调节、雨刮器等,MOSFET 作为执行机构的驱动元件。 - 车载充电系统:用于电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器中,实现高效的能量转换。 6. 通信设备: - 基站和路由器:用于电源管理和信号处理,确保通信设备的稳定运行和高效能。 总之,BUK7Y4R8-60EX 凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种高性能要求的电子应用,特别是在电源管理和电机驱动领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAKMOSFET N-channel 60 V 4.8 mo FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7Y4R8-60EXTrenchMOS™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK7Y4R8-60EX |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 238 W |
| Pd-功率耗散 | 238 W |
| Qg-GateCharge | 73.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 73.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.8 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-10967-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 57 ns |
| 功率-最大值 | 238W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK56-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 配置 | Triple Common Source |