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Datasheet下载- 型号： IRF6216PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6216PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6216PBF价格参考。International RectifierIRF6216PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6216PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6216PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF6216PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别中的单个器件。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - IRF6216PBF是一种N沟道增强型MOSFET，适用于各种开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高效率电源管理应用中表现出色。 - 可用于降压或升压转换器、线性稳压器等电路中，实现高效能量转换。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，IRF6216PBF可以作为开关元件使用，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 它能够承受较高的电流负载，适合需要频繁开关操作的电机驱动场景。 3. 负载开关 - 该MOSFET可以用作负载开关，控制电子设备中不同模块的供电状态。例如，在便携式设备中，通过快速开启或关闭负载来降低功耗。 4. 保护电路 - IRF6216PBF可用于过流保护、短路保护和反向电压保护电路中。其快速开关特性和耐压能力使其成为理想的选择。 5. 音频放大器 - 在一些功率音频放大器设计中，IRF6216PBF可用作输出级开关器件，提供高效的信号放大功能。 6. 电池管理系统 - 在电池充电和放电管理中，该MOSFET可以充当充放电路径的开关，确保电池安全运行并优化性能。 参数特点： - 额定电压：60V，适合低压应用场景。 - 连续漏极电流：可达98A（@25°C），满足大电流需求。 - 低导通电阻：有助于减少功率损耗，提高系统效率。 - 快速开关速度：适合高频开关应用。 总结来说，IRF6216PBF广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域，特别是在需要高效功率转换和开关控制的场合表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOICMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6216PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6216PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 33 nC |
| Qg-栅极电荷 | 33 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 0.24 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 5 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 1.3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 0.24 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 33 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 2.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 150 V |
| 漏极连续电流 | - 2.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6216.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6216.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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