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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7110TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7110TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH7110TR2PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH7110TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH7110TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFH7110TR2PBF的MOSFET,属于N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理领域。以下是其典型应用场景: 1. DC-DC转换器:适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效能电压调节模块(VRM),提供稳定的电源转换。 2. 同步整流器:在开关电源(SMPS)中作为同步整流元件使用,提升转换效率,降低能耗。 3. 负载开关与电源管理:用于电池供电设备如平板电脑、移动电源等,实现对负载的快速控制与节能管理。 4. 电机驱动与功率控制:适用于小型电机、风扇或继电器的驱动电路,具备良好的导通损耗与开关性能。 5. LED照明系统:在高亮度LED驱动电路中用于电流控制与调光功能,支持高效恒流输出。 该器件采用TISON(PG-TISON-8)封装,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(Vds=100V)、适合高频开关操作,且符合RoHS环保标准,适用于工业及消费类电子产品设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6MOSFET MOSFET, 100V, 58A 13.5 mOhm, 58 nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7110TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH7110TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 58 nC |
| Qg-栅极电荷 | 58 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3240pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.5 毫欧 @ 35A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN(5x6) |
| 其它名称 | IRFH7110TR2PBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TQFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta), 58A (Tc) |