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  • 型号: IRFZ46ZPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ46ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ46ZPBF价格参考。International RectifierIRFZ46ZPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFZ46ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ46ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFZ46ZPBF的MOSFET属于N沟道功率MOSFET,常用于需要高效开关和高电流承载能力的场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(Vds)和良好的热稳定性,适用于多种功率电子应用。

其典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效能的能量转换,提升电源效率。
2. 电机控制:在直流电机驱动器、步进电机控制器中作为开关元件,控制电机的启停与转速。
3. 负载开关:用于电池供电设备中,作为高侧或低侧开关,控制负载的通断,延长电池寿命。
4. 逆变器和UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电。
5. 汽车电子:用于汽车中的灯光控制、电动窗、风扇等功率控制模块。
6. 工业自动化:作为工业设备中的功率开关,控制加热元件、电磁阀、继电器等负载。

该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装,适合中高功率应用。其设计优化了开关损耗和导通损耗,适合高频开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 55V 51A TO-220ABMOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

51 A

Id-连续漏极电流

51 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ46ZPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFZ46ZPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

82 W

Pd-功率耗散

82 W

Qg-GateCharge

31 nC

Qg-栅极电荷

31 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

13.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

13.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1460pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.6 毫欧 @ 31A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFZ46ZPBF

功率-最大值

82W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

51A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfz46z_s_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfz46z_s_l.spi

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