ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSS169 E6327
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- 型号： BSS169 E6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS169 E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS169 E6327价格参考。InfineonBSS169 E6327封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载BSS169 E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS169 E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSS169 E6327 是一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET，广泛应用于低电压、低功率场景。其主要特点包括低栅极电荷、快速开关响应和小型SOT-23封装，适合空间受限的便携式设备。 典型应用场景包括： 1. 电源管理开关：用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现高效节能。 2. 信号切换与逻辑电路：在数字电路中作为电子开关，用于信号路由、电平转换和逻辑门控制，适用于微控制器外围电路。 3. LED驱动：作为LED开关元件，用于背光控制或状态指示灯驱动，具备快速响应和低导通损耗优势。 4. 消费类电子产品：广泛用于家用电器、遥控器、充电器等设备中的低功耗开关功能。 5. 工业与汽车电子：在传感器模块、继电器驱动和车载信息娱乐系统中用于小电流开关控制，具备良好的稳定性和可靠性。 BSS169 E6327因其高性价比、小型化和优良的开关性能，在需要高效、紧凑设计的电子系统中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 耗尽模式 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSS169_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ef2884ac7 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSS169 E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 68pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.8nC @ 7V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BSS169E6327XT |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 170mA （Ta） |
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