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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5V6ALT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5V6ALT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5V6ALT1G封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载MMBZ5V6ALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5V6ALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBZ5V6ALT1G是一款表面贴装的齐纳TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于TVS二极管类别。该器件主要用于电路中的过压保护,特别适用于防止静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击感应等瞬态电压对敏感电子元件的损害。 其典型应用场景包括:便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)、USB接口保护、通信端口(如RS-232、HDMI、音频/视频接口)、工业控制设备以及汽车电子中的低功率信号线路保护。由于其响应速度快、钳位性能优异,且封装小巧(SOD-123),非常适合空间受限的高密度PCB设计。 MMBZ5V6ALT1G的标称齐纳电压为5.6V,工作电压适合保护3.3V至5V逻辑电路系统,广泛用于数字和模拟信号线的防护。其高可靠性与符合AEC-Q101车规认证的特点,也使其在汽车电子中得到广泛应用,如车载信息娱乐系统和传感器接口保护。 总之,该型号适用于需要高效、紧凑型过压保护的各类电子设备,尤其在需应对频繁ESD事件的终端设备接口中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 3VWM 8VC SOT23TVS二极管阵列 5.6V 225mW Dual Common Anode |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor MMBZ5V6ALT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5V6ALT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5V6ALT1GOSDKR |
| 击穿电压 | 5.32 V |
| 功率-峰值脉冲 | 24W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 尺寸 | 1.3 mm W x 2.9 mm L x 0.94 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 3 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 24 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 3 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 5.32V |
| 电压-反向关态(典型值) | 3V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 8V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | MMBZxxxALT1 |
| 通道 | 2 Channels |
| 钳位电压 | 8 V |