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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMBT4403LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMBT4403LT1G价格参考¥0.12-¥1.18。ON SemiconductorSMMBT4403LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 600mA 200MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载SMMBT4403LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMMBT4403LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMMBT4403LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装,具有小型化、高可靠性和良好开关性能的特点,广泛应用于各类电子设备中。 其主要应用场景包括:便携式电子产品中的信号放大与开关控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块;在消费类电子中用于LED驱动电路、继电器驱动或逻辑电平转换;也可作为音频放大器中的前置放大级元件。此外,该晶体管适用于需要低电压、低电流操作的工业控制电路、传感器接口电路以及各类小型电源开关系统。 由于SMMBT4403LT1G具备较高的直流电流增益和快速开关响应能力,且符合RoHS环保标准,因此特别适合对空间和能效有较高要求的高密度电路设计。同时,其“G”后缀表示为无卤素/绿色产品,适用于注重环保的现代电子产品制造。 综上所述,SMMBT4403LT1G是一款性能稳定、应用灵活的小信号BJT,广泛用于消费电子、通信设备、工业控制及便携式电源管理等领域,尤其适合需要高效开关和小尺寸封装的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 40V 600MA SOT23两极晶体管 - BJT SOT-23 XSTR PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SMMBT4403LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMMBT4403LT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 0.1 uA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMBT4403L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极连续电流 | - 600 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |