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Datasheet下载- 型号： C2M0080120D
- 制造商： Cree
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供C2M0080120D由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C2M0080120D价格参考。CreeC2M0080120D封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1200V 36A（Tc） 192W（Tc） TO-247-3。您可以下载C2M0080120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有C2M0080120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed 的 C2M0080120D 是一款基于碳化硅（SiC）技术的 N 沟道增强型 MOSFET，具有 1200V 耐压和低导通电阻（典型值 80mΩ），适用于高效率、高频率和高温工作环境。其主要应用场景包括： 1. 新能源发电系统：广泛用于光伏逆变器和风电变流器中，利用 SiC 器件高频、低损耗的优势，提高能量转换效率，减小系统体积与重量。 2. 电动汽车及充电桩：在车载充电机（OBC）、DC-DC 转换器以及直流快充桩中，C2M0080120D 可实现高效能功率转换，支持高电压平台，提升充电速度并降低热管理难度。 3. 工业电机驱动：应用于高压变频器和伺服驱动器，有助于减少开关损耗，提升系统动态响应和运行效率。 4. 不间断电源（UPS）与储能系统：在大功率 UPS 和电网级储能变流器（PCS）中，该器件可提高系统效率和功率密度，适合长时间连续运行。 5. 高密度电源设计：如数据中心电源、通信电源等对能效和空间要求严苛的场合，C2M0080120D 支持更高开关频率，有助于缩小磁性元件和散热器尺寸。 得益于碳化硅材料的优异特性，C2M0080120D 在高温、高压、高频工况下仍保持稳定性能，显著优于传统硅基 MOSFET，是现代高效电力电子系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 31.6 A |
| 品牌 | Cree, Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Cree, Inc. C2M0080120DZ-FET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | C2M0080120D |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| Qg-GateCharge | 94 nC |
| Qg-栅极电荷 | 94 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V, + 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V, + 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.1 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 1000V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49.2nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 98 毫欧 @ 20A， 20V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 23.2 ns |
| 功率-最大值 | 208W |
| 功率耗散 | 208 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 80 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 应用说明 | |
| 技术 | SiC |
| 技术类型 | - |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 3.9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 1.2 kV |
| 漏极连续电流 | 31.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/c2m-family-of-silicon-carbide-power-mosfets/52365 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31.6A （Tc） |
| 相关产品 | /product-detail/zh/CRD-001/CRD-001-ND/4199824 |
| 负载电压 | 800 V |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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