Datasheet下载- 型号： IRFS31N20DTRL
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS31N20DTRL由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS31N20DTRL价格参考。International RectifierIRFS31N20DTRL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS31N20DTRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS31N20DTRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFS31N20DTRL 是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中高功率开关场景。其耐压为200V，连续漏极电流可达31A，具备低导通电阻和优良的开关性能，适合高效能、高频率工作的需求。 该器件常用于电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器中，作为主开关元件以提升能效。在电机驱动领域，如工业电机控制、电动工具和家用电器驱动电路中，IRFS31N20DTRL可有效实现快速开关与低功耗运行。此外，它也适用于逆变器系统，包括太阳能逆变器和UPS（不间断电源），在直流到交流的转换过程中发挥关键作用。 由于采用TO-252（D²PAK）贴片封装，具有良好的散热性能和可靠性，适合自动化生产，广泛用于工业控制、汽车电子辅助系统及消费类电源产品中。其耐用性和高温稳定性使其在恶劣工作环境下仍能保持稳定性能。 总之，IRFS31N20DTRL凭借高效率、高可靠性和优异热性能，成为多种中高功率电力电子应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFS31N20DTRL |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 82 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl31n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl31n20d.spi |
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