Datasheet下载- 型号： IXTP10N60PM
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP10N60PM由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP10N60PM价格参考。IXYSIXTP10N60PM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTP10N60PM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTP10N60PM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTP10N60PM是一款高压N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管器件。该型号具有600V的高漏源击穿电压和10A的连续漏极电流能力，适用于高电压、中等功率的应用场景。 其主要应用场景包括：工业电源系统中的开关电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，因其高耐压和低导通电阻特性，有助于提高电源效率；太阳能逆变器中的直流斩波与逆变环节，用于能量转换与调节；电机驱动系统，如交流或永磁同步电机的控制模块，尤其在工业自动化和电动工具中表现稳定；此外，还广泛应用于UPS不间断电源、电焊机电源和高频感应加热设备中，承担高速开关功能。 IXTP10N60PM采用TO-247封装，具备良好的热性能和可靠性，适合高温环境下的工作。其快速开关特性和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，提升系统整体能效。因此，在需要高耐压、高可靠性和高效能转换的电力电子设备中，IXTP10N60PM是一个理想的功率开关元件选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTP10N60PM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PolarHV™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1610pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 740 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
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