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IRF7204PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7204PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7204PBF价格参考。International RectifierIRF7204PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO。您可以下载IRF7204PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7204PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF7204PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS) - IRF7204PBF适用于各种开关电源设计,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器和PWM控制器。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够有效降低功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,IRF7204PBF可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低功耗性能非常适合这类应用。 3. 负载开关 - 该器件可用于消费电子设备中的负载开关,例如手机充电器、平板电脑和其他便携式设备。通过精确控制电流流动,确保设备的安全运行并减少能耗。 4. 电池管理 - 在电池管理系统(BMS)中,IRF7204PBF可以用于保护电路,防止过流、短路或反向电压对电池造成损害。此外,它还支持高效的充放电控制。 5. LED驱动 - 对于大功率LED照明系统,IRF7204PBF可用作驱动器的一部分,提供稳定的电流输出以确保LED亮度一致且寿命更长。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域,这款MOSFET可能被用于车身控制模块(BCM)、电动窗升降器、雨刷控制系统以及其它需要高效开关操作的应用中。 7. 工业自动化 - 工业自动化设备中的传感器接口、继电器替代方案及信号隔离等方面都可以看到IRF7204PBF的身影。它有助于实现更高的可靠性和更低的维护成本。 综上所述,IRF7204PBF凭借其优异的电气参数和稳定性,在众多电力电子应用中表现出色,广泛应用于消费类电子产品、工业设备、汽车电子以及通信基础设施等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOICMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7204PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7204PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 68 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 5.3A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7204.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7204.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |