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  • 型号: IRFBG20PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFBG20PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBG20PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBG20PBF价格参考。VishayIRFBG20PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFBG20PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBG20PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 IRFBG20PBF 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和负载开关,因其具备低导通电阻与高效率特性,有助于降低能耗并提高系统稳定性。

2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制电路中作为功率开关使用,能够承受较高的电流和电压应力。

3. 电池供电设备:如笔记本电脑、便携式仪器等,用于电池充放电管理或作为高侧/低侧开关,实现对负载的有效控制。

4. 工业控制系统:广泛应用于工业自动化设备中的继电器替代、固态开关及传感器接口电路。

5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED 照明驱动或电动窗控制模块等场景,具备一定的抗干扰能力和可靠性。

该器件采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适合中高功率应用。设计时需注意其最大工作电压、电流及热管理,以确保稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220ABMOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.4 A

Id-连续漏极电流

1.4 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBG20PBF-

数据手册

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产品型号

IRFBG20PBFIRFBG20PBF

Pd-PowerDissipation

54 W

Pd-功率耗散

54 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

11 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

11 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1 kV

Vds-漏源极击穿电压

1 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns

下降时间

31 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 欧姆 @ 840mA,10V

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产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFBG20PBF

典型关闭延迟时间

58 ns

功率-最大值

54W

功率耗散

54 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

11 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

1 kV

漏极连续电流

1.4 A

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.4A (Tc)

系列

IRFBG20

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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