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IRFBG20PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBG20PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBG20PBF价格参考。VishayIRFBG20PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFBG20PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBG20PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFBG20PBF 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和负载开关,因其具备低导通电阻与高效率特性,有助于降低能耗并提高系统稳定性。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制电路中作为功率开关使用,能够承受较高的电流和电压应力。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、便携式仪器等,用于电池充放电管理或作为高侧/低侧开关,实现对负载的有效控制。 4. 工业控制系统:广泛应用于工业自动化设备中的继电器替代、固态开关及传感器接口电路。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED 照明驱动或电动窗控制模块等场景,具备一定的抗干扰能力和可靠性。 该器件采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适合中高功率应用。设计时需注意其最大工作电压、电流及热管理,以确保稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220ABMOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.4 A |
Id-连续漏极电流 | 1.4 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBG20PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFBG20PBFIRFBG20PBF |
Pd-PowerDissipation | 54 W |
Pd-功率耗散 | 54 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 17 ns |
下降时间 | 31 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 欧姆 @ 840mA,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRFBG20PBF |
典型关闭延迟时间 | 58 ns |
功率-最大值 | 54W |
功率耗散 | 54 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 11 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 1 kV |
漏极连续电流 | 1.4 A |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.4A (Tc) |
系列 | IRFBG20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |