ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI2302CDS-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI2302CDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2302CDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2302CDS-T1-GE3价格参考￥0.56-￥0.56。VishaySI2302CDS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 2.6A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2302CDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2302CDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2302CDS-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号功率晶体管，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括便携式电子产品、电源管理电路和开关控制场合。 该器件常用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中的负载开关、电池供电切换和电源路径管理，因其低导通电阻（Rds(on)）和小封装（如SOT-23），有助于减小电路板空间并提升能效。此外，SI2302CDS-T1-GE3也适用于DC-DC转换器中的同步整流或驱动级，提高转换效率。 在消费类电子产品中，它可用于LED驱动电路、充电管理模块以及各类信号开关应用。由于具备良好的开关特性和较低的栅极电荷，适合高频开关操作，可有效降低功耗。 工业控制领域中，该MOSFET可用于传感器信号调理电路、小型继电器或电机驱动的低功率开关控制。同时，因其符合RoHS标准且可靠性高，也适用于对环保和稳定性要求较高的家电和通信模块。 总之，SI2302CDS-T1-GE3凭借其小型化、高效能和稳定性能，广泛应用于需要低电压、低功耗开关控制的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68645 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2302CDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2302CDS-T1-GE3SI2302CDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 710 mW |
| Pd-功率耗散 | 710 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 57 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 57 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2302CDS-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2302CDS-GE3 |
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