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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002E-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002E-T1-E3价格参考¥0.50-¥0.91。Vishay2N7002E-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 240mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载2N7002E-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7002E-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 2N7002E-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括:电源管理开关、LED 驱动电路、电池供电设备中的低功耗开关控制、信号路由以及小型电机驱动等。由于其导通电阻较低、开关速度快且功耗小,特别适合用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线传感器等。此外,该器件常用于逻辑电平转换电路,实现不同电压系统之间的信号接口匹配(如 3.3V 与 5V 系统之间)。在消费类电子、工业控制和通信设备中,2N7002E-T1-E3 也广泛用于继电器或负载的驱动控制。其 SOT-23 小型封装节省空间,适用于高密度印刷电路板设计。总体而言,该 MOSFET 因其高可靠性、良好热稳定性及符合 RoHS 标准,在中低端功率开关应用中具有较高的性价比和广泛适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23MOSFET 60V 0.24A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
| Id-连续漏极电流 | 115 mA |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix 2N7002E-T1-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002E-T1-E32N7002E-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.2 W |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 70 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 21pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 250mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | 2N7002E-T1-E3CT |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 240mA(Ta) |
| 系列 | 2N7002 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | 2N7002E-E3 |