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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS192,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS192,115价格参考¥1.11-¥1.39。NXP SemiconductorsBSS192,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 240V 200mA(Ta) 560mW(Ta),12.5W(Tc) SOT-89-3。您可以下载BSS192,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS192,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89MOSFET TAPE-7 MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 200 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS192,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS192,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 240 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 240 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2.8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 90pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 欧姆 @ 200mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 568-6226-2 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 200 mS, 60 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 240V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BSS192 T/R |