Datasheet下载- 型号： IRFS3307TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3307TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3307TRLPBF价格参考。International RectifierIRFS3307TRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS3307TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS3307TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IRFS3307TRLPBF 的晶体管，属于 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）- 单个 类别。该器件是一款性能优异的功率MOSFET，广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。 该MOSFET的主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，适用于通信设备、服务器和工业控制系统中的高效电源设计。 2. 电机控制：用于电机驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停与转速，常见于电动工具、家用电器和工业自动化设备。 3. 电池管理系统：在锂电池保护电路和充放电控制中，提供高效的开关性能，保障电池使用安全。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块和车载充电器等场景，满足汽车工业对高可靠性和稳定性的要求。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源开关和负载管理。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合高频开关应用，同时采用表面贴装封装，便于自动化生产和节省PCB空间。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 5.15 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKMOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3307TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS3307TRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 63 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5150pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFS3307TRLPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 98 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 配置 | Single |
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