Datasheet下载- 型号： SI3443BDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3443BDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3443BDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3443BDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3443BDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3443BDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3443BDV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低导通电阻和快速开关性能的电路中。该器件适用于多种电子系统，主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，用于提高能效和减小电路尺寸。 2. 电机控制：用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷电机，常见于工业自动化设备或机器人系统中。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、移动电源等，用于电源切换或电池保护电路。 4. 负载开关与电源分配：用于控制多个负载的通断，实现节能或故障隔离。 5. LED照明驱动：作为开关元件用于LED调光或恒流控制电路中。 6. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等，因其具有较高的可靠性和温度稳定性。 该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）、高频率响应和小封装（如SOT-223），适合空间受限和高效率要求的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3443BDV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4.7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
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