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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA419DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA419DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA419DJ-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIA419DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA419DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIA419DJ-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET,采用小型化PowerPAK SO-8封装,适用于空间受限的高效率电源管理应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、优异的开关性能和良好的热稳定性,广泛应用于便携式电子设备中。 典型应用场景包括:智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的负载开关、电池电源管理、DC-DC转换电路以及过压/过流保护电路。由于其P沟道结构,常用于高端驱动配置,简化栅极驱动设计,适合用于电压切换与电源路径控制。 此外,SIA419DJ-T1-GE3也适用于各类消费类电子产品如移动电源、无线耳机、可穿戴设备等对尺寸和功耗敏感的场合。其高集成度和可靠性使其在工业控制、传感器模块和低功率电机驱动中也有广泛应用。整体而言,该MOSFET凭借小封装、高性能和高能效特点,成为现代电子设备中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA419DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA419DJ-T1-GE3SIA419DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 52 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 850mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 5.9A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA419DJ-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 91 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/SC70.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIA419DJ-GE3 |