(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) (cid:2) RoHS Compliant, Halogen Free (cid:2) DirectFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET (cid:2) (cid:2) Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:15)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:9)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:12)(cid:9)(cid:13)(cid:4)(cid:12)(cid:6)(cid:5)(cid:21)(cid:5)(cid:12)(cid:22)(cid:23) (cid:2) Ideal for High Performance Isolated Converter V V R DSS GS DS(on) Primary Switch Socket 100V min ±20V max 2.8mΩ@ 10V (cid:2) Optimized for Synchronous Rectification Q Q V (cid:2) Low Conduction Losses g tot gd gs(th) (cid:2) High Cdv/dt Immunity 200nC 110nC 2.7V (cid:2) Low Profile (<0.7mm) (cid:2) Dual Sided Cooling Compatible (cid:2) (cid:2) Compatible with existing Surface Mount Techniques (cid:2) S S S S (cid:2) Industrial Qualified D G S S D S S (cid:2)(cid:3) DirectFET(cid:2) ISOMETRIC Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (cid:2) SB SC M2 M4 L4 L6 L8 Description The IRF7769L2TR/TR1PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has a footprint smaller than a D2PAKand only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems. The IRF7769L2TR/TR1PbF is optimized for high frequency switching and synchronous rectification applications. The reduced total losses in the device coupled with the high level of thermal performance enables high efficiency and low temperatures, which are key for system reliability improvements, and makes this device ideal for high performance power converters. Standard Pack Orderable part number Package Type Note Form Quantity IRF7769L2TRPbF DirectFET2 Large Can Tape and Reel 4000 "TR" suffix IRF7769L2TR1PbF DirectFET2 Large Can Tape and Reel 1000 "TR1" suffix EOL notice # 264 Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 100 V DS V Gate-to-Source Voltage ±20 GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Silicon Limited)(cid:0) 124 D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Silicon Limited)(cid:0) 88 A D C GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Silicon Limited)(cid:2) 20 D A GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Package Limited) (cid:0) 375 D C GS I Pulsed Drain Current (cid:3) 500 DM E Single Pulse Avalanche Energy (cid:4) 260 mJ AS I Avalanche Current(cid:5)(cid:3) 74 A AR 12.00 3.10 Ω)10.00 ID = 74A TA= 25°C m Ω) V = 7.0V on)((, RDS68..0000 TJ = 125°C (RmDSon() 3.00 VVGGGSSS == 180.0VV Tpayc il 24..0000 TJ = 25°C Tpayc il 2.90 VGS = 15V 0.00 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 14.0 16.0 2.80 20 40 60 80 100 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) ID, Drain Current (A) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8) Fig 2. Typical On-Resistance vs. Drain Current (cid:2) Click on this section to link to the appropriate technical paper. (cid:5)(cid:2)TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part. (cid:3) Click on this section to link to the DirectFET Website. (cid:6)(cid:2)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:4)(cid:2)Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. (cid:7) Starting TJ = 25°C, L = 0.09mH, RG = 25Ω, IAS = 74A. (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA DSS GS D ΔΒV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.02 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 2mA DSS J D RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 2.8 3.5 mΩ VGS = 10V, ID = 74A (cid:3) V Gate Threshold Voltage 2.0 2.7 4.0 V V = V , I = 250μA GS(th) DS GS D ΔV /ΔT Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -10 ––– mV/°C GS(th) J I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 μA V = 100V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 250 V = 80V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 410 ––– ––– S V = 25V, I = 74A DS D Q Total Gate Charge ––– 200 300 g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 30 ––– V = 50V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 9.0 ––– nC V = 10V gs2 GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 110 165 I = 74A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 51 ––– See Fig. 9 godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 119 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 53 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS R Gate Resistance ––– 1.5 ––– Ω G t Turn-On Delay Time ––– 44 ––– V = 50V, V = 10V(cid:0)(cid:3) d(on) DD GS t Rise Time ––– 32 ––– I = 74A r D t Turn-Off Delay Time ––– 92 ––– ns R =1.8Ω d(off) G t Fall Time ––– 41 ––– f C Input Capacitance ––– 11560 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 1240 ––– pF V = 25V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 590 ––– ƒ = 1.0MHz rss C Output Capacitance ––– 6665 ––– V = 0V, V = 1.0V, f=1.0MHz oss GS DS C Output Capacitance ––– 690 ––– V = 0V, V = 80V, f=1.0MHz oss GS DS Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current ––– ––– 124 MOSFET symbol S (Body Diode) A showing the I Pulsed Source Current ––– ––– 500 integral reverse SM (Body Diode)(cid:0)(cid:2) p-n junction diode. V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V T = 25°C, I = 74A, V = 0V (cid:3) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 75 112 ns T = 25°C, I = 74A, V = 50V rr J F DD Q Reverse Recovery Charge ––– 220 330 nC di/dt = 100A/μs (cid:3) rr (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:6)(cid:2)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:8)(cid:2)Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:12)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units PD @TC = 25°C Power Dissipation (cid:0) 125 W PD @TC = 100°C Power Dissipation (cid:0) 63 PD @TA = 25°C Power Dissipation (cid:2) 3.3 TP Peak Soldering Temperature 270 °C TJ Operating Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJA Junction-to-Ambient (cid:3) ––– 45 RθJA Junction-to-Ambient (cid:4) 12.5 ––– RθJA Junction-to-Ambient (cid:5) 20 ––– °C/W RθJ-Can Junction-to-Can (cid:0)(cid:6) ––– 1.2 RθJ-PCB Junction-to-PCB Mounted ––– 0.5 10 W C/ 1 ° D = 0.50 ) C 0.20 J Zh t 0.1 0.10 mReaeponessr( l00.0.0011 000...000125SINGLE PULSE τJτJτ1Cτi1C= iτi /Ri/iRR1iR1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τR4τ4R44τCτR0001....i1644 (0157°842eC000-0/ W 5 ) 0000 τ....0000i 0503(0366s1901e7196c1498) Th ( THERMAL RESPONSE ) Notes: 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 3. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (cid:5) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:4)(cid:2)Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. (cid:10)(cid:2)Mounted on minimum footprint full size board with metalized (cid:5) T measured with thermocouple incontact with top (Drain) of part. back and with small clip heatsink. (cid:9)(cid:2)UsCed double sided cooling, mounting pad with large heatsink. (cid:11) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:3)(cid:4)Surface mounted on 1 in. square Cu (cid:5)(cid:2)Mounted on minimum footprint full size board with metalized board (still air). back and with small clip heatsink. (still air) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V CAuenrr()t 100 186544.....000050VVVVVV Auenrr()t 186544.....000050VVVVVV ec BOTTOM 3.5V Ce BOTTOM 3.5V our 10 ucr 100 S o Danor-- tI,iD 1 3.5V ≤ 60μs PULSE WIDTH DSanor-- tI,iD 3.5V ≤ 60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 0.1 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 4. Typical Output Characteristics Fig 5. Typical Output Characteristics 1000 2.5 VDS = 25V ec ID = 74A A) ≤ 60μs PULSE WIDTH anst VGS = 10V en(t 100 Resi 2.0 Curr On DSnoouaec--rrt I, iD 01.101 TTTJJJ === 12-47505°°C°CC DSanoouecr--r t ,iRDSon() mNoedaz)(r li 11..05 0.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 6. Typical Transfer Characteristics Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature 100000 14 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID= 74A C = C + C , C SHORTED Fp) 10000 CCirossssss C =i=s sCCgdgssd + Cggdd ds VVageo() tl 1102 VVVDDDSSS=== 852000VVV ec( ec 8 ancti Coss Sour CCapa, 1000 Crss Gaeo--tt 46 , S G V 2 0 100 0 50 100 150 200 250 300 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 9. Typical Total Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:14)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 1000 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS Ant () 100 Aen()t 1000 uerr Curr Cn TJ = 175°C ec 100 100μsec ai ur Deser r 10 TTJJ == 2-450°°CC Snoo--t 10 DC 10msec Rev Dari I, DS 1 , ID 1 TTcj = = 1 2755°°CC 1msec VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0 1 10 100 1000 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS , Drain-toSource Voltage (V) Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig11. Maximum Safe Operating Area 125 4.0 ID = 1.0A V) 3.5 ID = 1.0mA 100 e( ID = 250μA g Auen(rr) t 75 Vadohot ll 23..50 C s Dnar , I iD 50 Gehehar) t t 12..50 25 (tS G V 1.0 0 0.5 25 50 75 100 125 150 175 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 TC , CaseTemperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 12. Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig 13. Typical Threshold Voltage vs. Junction Temperature 1200 J) I m D egyr( 1000 T O P 2103AA n BOTTOM 74A E e 800 h c n a al v 600 A e s ul P 400 e gl n Si 200 S , A E 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting TJ, Junction Temperature (°C) Fig 14. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:23)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) 1000 Allowed avalanche Current vs avalanche Duty Cycle = Single Pulse pulsewidth, tav, assuming ΔTj = 150°C and Tstart =25°C (Single Pulse) 100 A) n(t uerr 0.01 C e 10 h 0.05 c n a 0.10 al v A 1 Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ΔΤj = 25°C and Tstart = 150°C. 0.1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 15. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16: 280 (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) TOP Single Pulse 1. Avalanche failures assumption: BOTTOM 1% Duty Cycle Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a 240 J) ID = 74A temperature far in excess of Tjmax. This is validated for m every part type. gy( 200 2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is er not exceeded. En 160 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in e Figures 19a, 19b. h c 4. P = Average power dissipation per single n D (ave) aal 120 avalanche pulse. v 5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for A , R 80 voltage increase during avalanche). A 6. Iav = Allowable avalanche current. E 7. ΔT = Allowable rise in junction temperature, not to exceed 40 T (assumed as 25°C in Figure 15, 16). jmax t Average time in avalanche. av = 0 D = Duty cycle in avalanche = t ·f av 25 50 75 100 125 150 175 Z (D, t ) = Transient thermal resistance, see figure 11) thJC av Starting TJ , Junction Temperature (°C) P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:10)(cid:2)T/ Z D (ave) av thJC Fig 16. Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature I =2(cid:2)T/ [1.3·BV·Z ] av th E = P ·t AS (AR) D (ave) a Driver Gate Drive (cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:14) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:4) (cid:13)(cid:15)(cid:11)(cid:8)(cid:7)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:10)(cid:7)(cid:9)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:5)(cid:19)(cid:15)(cid:6)(cid:14)(cid:11)(cid:17)(cid:9)(cid:15)(cid:10)(cid:5)(cid:19) VGS=10V • (cid:12)(cid:16)(cid:10)(cid:20)(cid:12)(cid:3)(cid:9)(cid:11)(cid:17)(cid:18)(cid:12)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:17)(cid:5)(cid:8)(cid:14) (cid:12)(cid:12) • (cid:2)(cid:11)(cid:10)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:12)(cid:21)(cid:22)(cid:17)(cid:5)(cid:14) - (cid:12)(cid:12) • (cid:16)(cid:10)(cid:20)(cid:12)(cid:16)(cid:14)(cid:17)(cid:23)(cid:17)(cid:24)(cid:14)(cid:12)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:17)(cid:5)(cid:8)(cid:14) (cid:12)(cid:12)(cid:12)(cid:12)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:11)(cid:11)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:25)(cid:11)(cid:17)(cid:5)(cid:19)(cid:26)(cid:10)(cid:11)(cid:27)(cid:14)(cid:11) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:5) Recovery Body Diode Forward - + Current Current - di/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:2) dv/dt VDD (cid:9) (cid:21)(cid:2) • (cid:6)(cid:15)(cid:28)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:5)(cid:9)(cid:11)(cid:10)(cid:22)(cid:22)(cid:14)(cid:6)(cid:12)(cid:29)(cid:18)(cid:12)(cid:30)(cid:2) (cid:31)(cid:31) Re-Applied • (cid:31)(cid:11)(cid:15) (cid:14)(cid:11)(cid:12)(cid:19)(cid:17)(cid:27)(cid:14)(cid:12)(cid:9)(cid:18)!(cid:14)(cid:12)(cid:17)(cid:19)(cid:12)(cid:31)"#"(cid:25)" + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:4)(cid:3)(cid:4)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:5)(cid:9)(cid:11)(cid:10)(cid:22)(cid:22)(cid:14)(cid:6)(cid:12)(cid:29)(cid:18)(cid:12)(cid:31)(cid:7)(cid:9)(cid:18)(cid:12)$(cid:17)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)%(cid:31)% - (cid:4)I(cid:5)n(cid:6)d(cid:7)u(cid:8)ct(cid:9)o(cid:10)r(cid:11) (cid:12)C(cid:13)u(cid:7)r(cid:11)e(cid:11)n(cid:14)t(cid:5)(cid:9) • (cid:31)"#"(cid:25)"(cid:12)&(cid:12)(cid:31)(cid:14) (cid:15)(cid:8)(cid:14)(cid:12)#(cid:5)(cid:6)(cid:14)(cid:11)(cid:12)(cid:25)(cid:14)(cid:19)(cid:9) Ripple ≤ 5% ISD (cid:2)(cid:9) (cid:2)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:9)(cid:2)(cid:12)(cid:4)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:14)(cid:6)(cid:18)(cid:6)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:6)(cid:18)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:7) (cid:2)(cid:3) Fig 17. (cid:9)(cid:7)(cid:26)(cid:15)(cid:13)(cid:2)(cid:27)(cid:13)(cid:28)(cid:13)(cid:29)(cid:11)(cid:13)(cid:2)(cid:27)(cid:13)(cid:16)(cid:26)(cid:28)(cid:13)(cid:29)(cid:19)(cid:2)(cid:30)(cid:13)(cid:11)(cid:8)(cid:2)(cid:31)(cid:7)(cid:29)(cid:16)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:2)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFETs (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:24)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Id Vds Vgs L VCC DUT 0 210KK S Vgs(th) Qgodr Qgd Qgs2 Qgs1 Fig 18a. Gate Charge Test Circuit Fig 18b. Gate Charge Waveform V(BR)DSS 15V tp L DRIVER VDS ’R(cid:2)(cid:3)G D.U.T + - VDD IAS A 20V tp 0.01Ω IAS Fig 19a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 19b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:21) (cid:31) (cid:9)(cid:31)(cid:3) VDS 90% (cid:9) (cid:2)(cid:3) (cid:20)(cid:22)(cid:23)(cid:22)(cid:24)(cid:22) (cid:21) (cid:2) +(cid:9) - (cid:31)(cid:31) (cid:9)(cid:25)(cid:2)(cid:26)(cid:3)(cid:9) 10% (cid:21)(cid:7)(cid:22)(cid:19)(cid:14)(cid:12)((cid:15)(cid:6)(cid:9))(cid:12)≤ 1 *(cid:19) V GS (cid:31)(cid:7)(cid:9)(cid:18)(cid:12)$(cid:17)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)≤ 0.1 % td(on) tr td(off) tf Fig 20a. Switching Time Test Circuit Fig 20b. Switching Time Waveforms (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:11)(cid:8)(cid:13)(cid:13)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:3)(cid:17)(cid:7)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:14)(cid:4)(cid:22)(cid:5)(cid:11)(cid:23)(cid:3)(cid:24)(cid:5)(cid:11)(cid:25)(cid:14)(cid:17)(cid:26)(cid:27) (cid:2) Please see AN-1035 for DirectFET assembly details and stencil and substrate design recommendations G = GATE D = DRAIN S = SOURCE D D S S S S D G D S S S S D D Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:26)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:28)(cid:29)(cid:7)(cid:30)(cid:3)(cid:17)(cid:5)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:31)(cid:5)(cid:17) (cid:3)(cid:13)(cid:17)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:28)(cid:29)(cid:7)(cid:30)(cid:3)(cid:17)(cid:5)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:14)(cid:4)(cid:22)(cid:5)(cid:23)(cid:3)(cid:24)(cid:5)(cid:11)(cid:25)(cid:14)(cid:17)(cid:26)(cid:27) (cid:2) Please see AN-1035 for DirectFET assembly details and stencil and substrate design recommendations DIMENSIONS METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX A 9.05 9.15 0.356 0.360 B 6.85 7.10 0.270 0.280 C 5.90 6.00 0.232 0.236 D 0.55 0.65 0.022 0.026 E 0.58 0.62 0.023 0.024 F 1.18 1.22 0.046 0.048 G 0.98 1.02 0.015 0.017 H 0.73 0.77 0.029 0.030 J 0.38 0.42 0.015 0.017 K 1.34 1.47 0.053 0.058 L 2.52 2.69 0.099 0.106 M 0.616 0.676 0.0235 0.0274 N 0.020 0.080 0.0008 0.0031 P 0.09 0.18 0.003 0.007 (cid:2) DirectFET Part Marking GATE MARKING LOGO PART NUMBER BATCH NUMBER DATE CODE Line above the last character of the date code indicates "Lead-Free" Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:27)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) (cid:2) DirectFET Tape & Reel Dimension (Showing component orientation). NOTE: Controlling dimensions in mm Std reel quantity is 4000 parts. (ordered as IRF7769L2PBF). REEL DIMENSIONS STANDARD OPTION (QTY 4000) METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX A 330.0 N.C 12.992 N.C B 20.2 N.C 0.795 N.C C 12.8 13.2 0.504 0.520 D 1.5 N.C 0.059 N.C E 100.0 N.C 3.937 N.C F N.C 22.4 N.C 0.889 G 16.4 18.4 0.646 0.724 H 15.9 18.4 0.626 0.724 LOADED TAPE FEED DIRECTION NOTE: CONTROLLING DIMENSIONS DIMENSIONS IN MM METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX A 11.90 12.10 0.469 0.476 B 3.90 4.10 0.154 0.161 C 15.90 16.30 0.626 0.642 D 7.40 7.60 0.291 0.299 E 7.20 7.40 0.284 0.291 F 9.90 10.10 0.390 0.398 G 1.50 NC 0.059 NC H 1.50 1.60 0.059 0.063 Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Qualification Information† Industrial †† Qualification level (per JEDEC JESD47F††† guidelines) Comments: This family of products has passed JEDEC’s Industrial qualification. IR’s Consumer qualification level is granted by extension of the higher Industrial level. MSL1 Moisture Sensitivity Level DFET2 (per JEDEC J-STD-020D†††) RoHS Compliant Yes (cid:3) (cid:2) Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/product-info/reliability (cid:3)(cid:3) (cid:2) Higher qualification ratings may be available should the user have such requirements. Please contact your International Rectifier sales representative for further information: http://www.irf.com/whoto-call/salesrep/ (cid:3)(cid:3)(cid:3) (cid:2) Applicable version of JEDEC standard at the time of product release. Revision History Date Comments • Updated ordering information to reflect the End-Of-life (EOL) of the mini-reel option (EOL notice #264). 5/6/2014 • Updated data sheet based on corporate template. IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/ (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:8)(cid:2)(cid:14)(cid:13)(cid:13)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:25)

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF7769L2TRPBF