Datasheet下载- 型号： PHT6N06LT,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHT6N06LT,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT6N06LT,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT6N06LT,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHT6N06LT,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHT6N06LT,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHT6N06LT,135 是由 NXP USA Inc. 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且是单通道设计。这款器件具有以下应用场景： 1. 电源管理：PHT6N06LT,135 可用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块中，作为高效的开关元件来控制电流的通断和转换。 2. 电机驱动：在小型电机控制应用中，例如家用电器、电动工具或汽车电子系统中，该 MOSFET 可以用作驱动电路的一部分，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 负载切换：适用于需要频繁开启和关闭高电流负载的应用场景，如 LED 照明、USB 充电端口保护等，提供低导通电阻以减少功率损耗。 4. 电池保护：在便携式设备中，此型号可以用来防止过流、短路等问题，确保锂电池或其他类型电池的安全使用。 5. 信号放大与处理：尽管其主要功能为开关作用，但在某些情况下也可以用作小信号放大器，在音频设备或者传感器接口电路中发挥作用。 6. 汽车电子：由于其良好的电气特性和可靠性，该器件也适合应用于汽车环境下的各种控制单元，比如车身控制系统、娱乐系统以及辅助驾驶系统中的相关模块。 总之，PHT6N06LT,135 凭借其优异的性能参数（如耐压能力、低导通电阻等），广泛适用于工业自动化、消费类电子产品、通信设备及交通运输等多个领域内的多种具体应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHT6N06LT,135TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHT6N06LT,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1800 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 13 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 13 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 5A，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-7367-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 8.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | /T3 PHT6N06LT |
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