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  • 型号: NVD5807NT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5807NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5807NT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5807NT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 23A(Tc) 33W(Tc) DPAK。您可以下载NVD5807NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVD5807NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NVD5807NT4G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款增强型硅基N沟道功率MOSFET,适用于多种中高功率开关应用。其主要应用场景包括:  

1. 电源管理:广泛用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中,因其低导通电阻(RDS(on))和高效率,有助于降低功耗并提升能效。  

2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具及家用电器中的小型电机驱动电路,具备良好的热稳定性和快速开关能力,可有效控制电机启停与转速。  

3. 照明系统:用于LED驱动电源,特别是在高亮度LED照明或汽车照明中,支持恒流控制和高效能量转换。  

4. 汽车电子:作为车载电源系统、车身控制模块(如车窗升降、座椅调节)中的负载开关,具备AEC-Q101车规认证,可靠性高,适应严苛工作环境。  

5. 消费电子:应用于笔记本电脑、打印机、智能家居设备等产品的电源管理单元,实现紧凑设计与节能运行。  

该器件采用TOLL封装,具有优异的散热性能和电流处理能力,适合自动化贴装,广泛服务于工业、汽车与消费类电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 23A DPAKMOSFET POWER MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

23 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVD5807NT4G-

数据手册

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产品型号

NVD5807NT4G

Pd-PowerDissipation

33 W

Pd-功率耗散

33 W

Qg-GateCharge

12.6 nC

Qg-栅极电荷

12.6 nC

RdsOn-漏源导通电阻

20 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

20.4 ns

下降时间

2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

603pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

31 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

33W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

20 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

8.1 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

23 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

23A (Tc)

系列

NTD5807N

配置

Single

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