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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5807NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5807NT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5807NT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 23A(Tc) 33W(Tc) DPAK。您可以下载NVD5807NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVD5807NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD5807NT4G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款增强型硅基N沟道功率MOSFET,适用于多种中高功率开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中,因其低导通电阻(RDS(on))和高效率,有助于降低功耗并提升能效。 2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具及家用电器中的小型电机驱动电路,具备良好的热稳定性和快速开关能力,可有效控制电机启停与转速。 3. 照明系统:用于LED驱动电源,特别是在高亮度LED照明或汽车照明中,支持恒流控制和高效能量转换。 4. 汽车电子:作为车载电源系统、车身控制模块(如车窗升降、座椅调节)中的负载开关,具备AEC-Q101车规认证,可靠性高,适应严苛工作环境。 5. 消费电子:应用于笔记本电脑、打印机、智能家居设备等产品的电源管理单元,实现紧凑设计与节能运行。 该器件采用TOLL封装,具有优异的散热性能和电流处理能力,适合自动化贴装,广泛服务于工业、汽车与消费类电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 23A DPAKMOSFET POWER MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVD5807NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVD5807NT4G |
| Pd-PowerDissipation | 33 W |
| Pd-功率耗散 | 33 W |
| Qg-GateCharge | 12.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12.6 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20.4 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 603pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 31 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 33W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 20 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 8.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 23 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |
| 系列 | NTD5807N |
| 配置 | Single |