ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FDS4935BZ
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Datasheet下载- 型号： FDS4935BZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS4935BZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS4935BZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDS4935BZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 6.9A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS4935BZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS4935BZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS4935BZ是ON Semiconductor（安森美）生产的一款MOSFET阵列器件，属于N沟道功率MOSFET，采用双芯片封装（Dual N-Channel Power MOSFET），常用于需要高效开关控制的电源管理应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于空间受限但要求高效率的电子系统。 其典型应用场景包括： 1. DC-DC转换器：广泛用于笔记本电脑、平板电脑和通信设备中的降压（Buck）转换电路，实现高效的电压调节。 2. 负载开关与电源管理：在电池供电设备中，用于控制不同模块的电源通断，降低待机功耗，延长电池寿命。 3. 电机驱动电路：适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，常见于便携式家电、打印机和工业控制设备。 4. 热插拔与过流保护电路：利用其快速响应特性，在服务器和网络设备中实现安全的热插拔功能。 5. LED背光驱动：在LCD显示屏中用于控制LED背光的开关与调光，确保稳定亮度输出。 FDS4935BZ采用SO-8封装，集成度高，节省PCB空间，适合高密度电子产品设计。其优异的开关特性和可靠性使其在消费电子、移动设备、通信设备及工业控制领域得到广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOICMOSFET 30V PCH DUAL POWER TRENCH M |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS4935BZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS4935BZ |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 6.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS4935BZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.9A |
| 系列 | FDS4935 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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