ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFS31N20DTRLP
Datasheet下载- 型号： IRFS31N20DTRLP
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFS31N20DTRLP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS31N20DTRLP由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS31N20DTRLP价格参考。International RectifierIRFS31N20DTRLP封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载IRFS31N20DTRLP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS31N20DTRLP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFS31N20DTRLP 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，因其低导通电阻（RDS(on)）和高耐压（200V），有助于提升能效并减少发热。 2. 电机驱动：适用于工业控制、电动工具和家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路，能够承受较高的脉冲电流，确保稳定运行。 3. 照明系统：在LED驱动电源和高强度放电灯（HID）镇流器中作为开关元件，支持高频工作，提高照明效率与可靠性。 4. 逆变器与UPS：用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中，实现直流到交流的高效转换，满足高功率密度设计需求。 5. 消费电子与工业设备：如电视、显示器电源板、工业电源模块等，适合紧凑型设计，具备良好的热稳定性和耐用性。 IRFS31N20DTRLP采用TO-252（D²PAK）封装，便于散热和表面贴装，适用于自动化生产。其优化的栅极设计降低了开关损耗，提升了整体系统效率，是中高功率应用中的可靠选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKMOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS31N20DTRLPHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS31N20DTRLP |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 70 nC |
| Qg-栅极电荷 | 70 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 82 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 82 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFS31N20DTRLPDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 82 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl31n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl31n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
