Datasheet下载- 型号： IRFBF20PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBF20PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBF20PBF价格参考。VishayIRFBF20PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBF20PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBF20PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFBF20PBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET，主要应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压（200V）和大电流承载能力，适合用于电源管理和负载开关等应用。 典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：在DC-DC转换器、电源开关和电池供电设备中，用于高效控制电源通断，降低能耗，提高系统效率。 2. 电机控制与驱动：用于工业自动化设备、电动工具和家电中的电机驱动电路，作为功率开关使用。 3. 负载开关应用：如服务器、计算机主板、电源分配单元（PDU）中，用于控制高功率负载的开启与关闭。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中作为功率开关元件，实现电能转换与调节。 5. 汽车电子系统：适用于车载电源管理、车身控制模块（BCM）和LED照明驱动等场景，具备良好的热稳定性和可靠性。 该MOSFET采用表面贴装封装（如D2PAK），便于散热和自动化生产，适合高功率密度设计。由于其P沟道特性，在高端开关应用中无需额外驱动电路，简化设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220ABMOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBF20PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91120点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | IRFBF20PBFIRFBF20PBF |
| Pd-PowerDissipation | 54 W |
| Pd-功率耗散 | 54 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFBF20PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
| 功率-最大值 | 54W |
| 功率耗散 | 54 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 8 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 900 V |
| 漏极连续电流 | 1.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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