Datasheet下载- 型号： CY7C199D-10VXIT
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C199D-10VXIT由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C199D-10VXIT价格参考￥9.63-￥11.01。Cypress SemiconductorCY7C199D-10VXIT封装/规格：存储器， SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 10ns 28-SOJ。您可以下载CY7C199D-10VXIT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C199D-10VXIT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
REI并非半导体或存储器品牌，CY7C199D-10VXIT实际为Cypress（赛普拉斯，现属英飞凌Infineon）出品的静态RAM（SRAM）芯片。该型号是一款32K×8位（256Kb）、10ns访问时间、3.3V供电的高速异步CMOS SRAM，采用TSSOP-32封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），带“VXI”后缀表明符合高可靠性标准。 其典型应用场景包括： - 工业控制设备：PLC、运动控制器、HMI人机界面中用作高速缓存或临时数据缓冲； - 通信设备：路由器、交换机、基站中的帧缓存、FIFO缓冲或协议处理中间存储； - 嵌入式系统：需低延迟、确定性读写响应的实时系统（如医疗仪器、测试测量设备）； - 军工/航天衍生应用：因工业级温宽和稳定时序，适用于对可靠性要求较高的恶劣环境场景（需配合额外筛选或加固设计）； - FPGA/CPLD协处理器配套：作为外部高速数据暂存器，配合逻辑器件完成高速数据采集与预处理。 注意：“REI”在此处系误认，CY7C199D系列无REI品牌关联。用户在选型时应以原厂（Infineon/Cypress）数据手册为准，并关注停产状态（该型号已列入Infineon PDN通知，建议评估替代料如IS61WV25616BLL等）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ静态随机存取存储器 256Kb 10ns 32K x 8 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor |
| 产品手册 | http://www.cypress.com/?docID=48699 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C199D-10VXIT- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=48699 |
| 产品型号 | CY7C199D-10VXIT |
| PCN封装 | http://www.cypress.com/?docID=47155 |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=48124 |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 28-SOJ |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 256 kbit |
| 存储类型 | CMOS |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 28-BSOJ |
| 封装/箱体 | SOJ-28 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 80 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | - 0.5 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | CY7C199D |
| 组织 | 32 k x 8 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 速度 | 10ns |
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