Datasheet下载- 型号： BAT1502LRHE6327XTSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAT1502LRHE6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAT1502LRHE6327XTSA1价格参考。InfineonBAT1502LRHE6327XTSA1封装/规格：二极管 - 射频， RF Diode Schottky - Single 4V 110mA 100mW PG-TSLP-2。您可以下载BAT1502LRHE6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAT1502LRHE6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的射频二极管型号BAT1502LRHE6327XTSA1，属于高性能硅锗肖特基势垒二极管，专为高频、低功耗应用设计。该器件广泛应用于无线通信和射频信号处理领域。 主要应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的天线调谐与阻抗匹配电路，用于提升天线效率和信号接收质量；在无线基础设施中，如小基站和射频前端模块，实现信号切换与功率控制；适用于GPS、Wi-Fi、蓝牙和NFC等短距离无线通信系统，提供快速响应和低插入损耗；还可用于射频开关、衰减器和谐波抑制电路中，增强系统整体性能。 BAT1502LRHE6327XTSA1具有低正向电压、高开关速度和优异的ESD耐受能力，适合高密度贴装的便携式电子设备。其采用无引脚封装（WLCSP），体积小巧，有助于节省PCB空间，满足现代消费电子产品小型化需求。同时，该器件符合RoHS环保标准，可靠性高，适合自动化生产。 综上，BAT1502LRHE6327XTSA1适用于各类对尺寸、功耗和射频性能要求较高的移动通信和智能终端设备，是现代射频前端设计中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 4V 110MA TSLP-2 |
| 产品分类 | RF 二极管 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bat15series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ff6812070b44&fileId=db3a304314dca3890114ff6b74ca0b48 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BAT1502LRHE6327XTSA1 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 If、F时的电阻 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 0.35pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 单 |
| 供应商器件封装 | PG-TSLP-2 |
| 其它名称 | BAT1502LRHE6327XTSA1DKR |
| 功率耗散（最大值） | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 封装/外壳 | SOD-882 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 4V |
| 电流-最大值 | 110mA |
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