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Datasheet下载- 型号： STB22NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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STB22NM60N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB22NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB22NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB22NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 16A（Tc） 125W（Tc） D2PAK。您可以下载STB22NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB22NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB22NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、高频率开关性能的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中，因其高效率和低导通电阻特性，有助于提高能源利用率。 2. 电机控制：适用于电动工具、家用电器及工业自动化设备中的直流电机或步进电机驱动电路，提供快速响应与稳定输出。 3. 照明系统：在LED照明驱动电路中作为开关元件使用，支持调光功能并提升整体能效。 4. 汽车电子：用于车载充电系统、车身控制模块以及辅助加热/冷却系统的功率控制部分，具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、游戏机等设备内部的电源管理单元，满足对小型化与节能的需求。 该器件采用TO-220封装形式，易于散热且便于安装，在600V耐压等级下可承载较大电流，适合多种中高功率应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STB22NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-10298-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF244023?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
