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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1405DL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1405DL-T1-E3价格参考。VishaySI1405DL-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI1405DL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1405DL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1405DL-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:SI1405DL-T1-E3 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中的开关元件,提供高效的能量转换。 - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,控制电路的开启与关闭,降低待机功耗。 - 线性稳压器:作为旁路开关或功率级器件,提高稳压器的效率。 2. 电池管理 - 电池保护电路:用于锂电池或其他可充电电池的过流、短路保护。 - 电量监测:通过精确控制电流流动,支持电池电量的实时监测。 3. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑:用作内部电源管理单元(PMU)的一部分,优化能效。 - USB 充电端口:实现 USB 端口的电流限制和保护功能。 - 音频设备:用于音频放大器的电源切换或保护电路。 4. 工业应用 - 电机驱动:用于小型直流电机的驱动电路,控制电机的启停和速度。 - 信号隔离:在工业控制系统中,作为信号隔离的开关元件。 - 传感器接口:为传感器供电或作为信号切换的开关。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于电源管理和信号切换。 - 车身控制模块:控制车窗、座椅调节等低功率负载。 - LED 照明:用于汽车 LED 灯具的驱动电路。 6. 通信设备 - 网络交换机和路由器:用作电源管理或信号切换的开关。 - 基站电源:在基站的电源模块中,用于高效的能量转换和分配。 特点总结 SI1405DL-T1-E3 的低导通电阻(典型值为 15 mΩ)使其能够在高电流应用中减少功耗和发热,同时其小封装(DFN1006A-2,占位面积仅为 1 mm x 0.6 mm)非常适合空间受限的设计。此外,其低栅极电荷和快速开关能力使其成为高频开关应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6MOSFET 8V 1.8A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.6 A |
Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1405DL-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI1405DL-T1-E3SI1405DL-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 568 mW |
Pd-功率耗散 | 568 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 210 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 210 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 8 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 36 ns |
下降时间 | 36 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 450mV @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 1.8A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
其它名称 | SI1405DL-T1-E3-ND |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
功率-最大值 | 568mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 8V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.6A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI1405DL-E3 |