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Datasheet下载- 型号： FDB12N50TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDB12N50TM产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB12N50TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB12N50TM价格参考。Fairchild SemiconductorFDB12N50TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 11.5A（Tc） 165W（Tc） D²PAK。您可以下载FDB12N50TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB12N50TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB12N50TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有12A连续漏极电流和500V漏源击穿电压，适合中高功率应用。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC/DC或DC/DC转换器中的主开关元件，实现高效能量转换。 2. 电机驱动电路：在直流电机或步进电机控制中作为功率开关，提供快速响应和低导通损耗。 3. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或太阳能逆变器中，实现直流电到交流电的高效转换。 4. LED照明驱动：在高功率LED照明系统中用于恒流控制和调光功能。 5. 工业自动化设备：如PLC、继电器替代方案等，提供可靠和高效的负载切换能力。 由于其高耐压、低导通电阻及良好的热稳定性，FDB12N50TM广泛适用于需要高效能与稳定性的工业和消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKMOSFET 500V N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB12N50TMUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB12N50TM |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 165 W |
| Pd-功率耗散 | 165 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1315pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 650 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB12N50TMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 165W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 550 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 11.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A （Tc） |
| 系列 | FDB12N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
