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Datasheet下载- 型号： HUFA75307T3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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HUFA75307T3ST产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75307T3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75307T3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75307T3ST封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 2.6A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223-4。您可以下载HUFA75307T3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75307T3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUFA75307T3ST 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率转换领域。其典型应用场景包括： 1. 电源转换器：适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于高效能功率开关。 2. 电机控制：可用于电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。 3. 负载开关：适合用作高侧或低侧开关，控制电源对负载的供给。 4. 电池管理系统：在电池充放电管理电路中作为开关元件使用。 5. 照明系统：如LED驱动器中用于调光或恒流控制。 该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适合中高功率应用。封装形式为DPAK，便于散热和安装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75307T3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 其它名称 | HUFA75307T3STCT |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
